长飞先辈半导体武汉基地开工，投资超200亿，一期预计2025年建成

9月1日，长飞先辈半导体武汉基地开工仪式在武汉新城举行。

项目位于光谷科学岛，项目总投资预计凌驾200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。
一期项目预计2025年建立完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，产能规模将居行业领先地位。

在碳化硅行业，“产能为王”一直是重要关键词，尤其是随着800V新能源汽车的推出，2025年，碳化硅市场将迎来全面爆发。为此，该公司自2022年起，就开始前瞻性规划武汉基地建立，此后一路加快步伐，并正式开工。

“半导体行业门槛非常高，但越高也就代表着硬实力越重要。如今，长飞先辈人才、资金、厂房均已就位，接下来将埋头苦干，把产品做好，相信几年之后一定会是一番新天地。”长飞先辈总裁陈重国表示。

据介绍，以此次武汉基地开工仪式为契机，长飞先辈将不断加快碳化硅产业建立步伐，加强关键核心技术攻关和创新突破，朝着“世界领先的宽禁带半导体”公司加快前进。
【来源：中国光谷】
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