武汉新城，这一投资200亿重大项目主体布局封顶！

6月18日，随着晶圆制造厂房末了一斗混凝土完成浇筑，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基田主体布局正式封顶。

长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的当代化半导体制造基地。
项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，重要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。

该基地于去年9月1日正式动工，近300天完成主体布局封顶。接下来，将进入塔楼内部装修及裙楼主体布局施工阶段，预计明年7月量产通线。

项目投产后，可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域，还将吸引并带动更多化合物半导体产业链上卑鄙企业聚集、交流与协作，加快构建更加完善的碳化硅产业生态。
长飞光纤实验董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹介绍，随着全球市场新能源汽车、光伏发电、储能等应用领域的持续渗透，碳化硅功率器件市场正迎来全面爆发阶段。乘着行业发展东风，长飞先进将不断加快基础设施建设步伐，全面提升生产工艺水平，同时联动上卑鄙企业开展技术攻关，共同促进国内碳化硅产业繁荣发展。
【来源：中国光谷】
声明：此文版权归原作者所有，若有来源错误或者侵犯您的合法权益，您可通过邮箱与我们取得联系，我们将及时进行处理。邮箱地址：jpbl@jp.jiupainews.com

免责声明：如果侵犯了您的权益，请联系光谷社区站长，我们会及时删除侵权内容，谢谢合作！