武汉新城首个项目主厂房主体结构封顶，可年产36万片碳化硅晶圆

通讯员 王一桐 实习生 茹开榕
近日，武汉新城首个项目——长飞先进武汉基地项目迎来紧张施工节点，随着最后一斗混凝土浇筑完成，这座年产36万片碳化硅晶圆的现代化半导体制造基地主体结构全面封顶。
长飞先进武汉基地项目由中建一局集团建设发展有限公司承建，项目建筑面积约30万平方米，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。
项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。

中建一局集团建设发展有限公司相关负责人介绍，长飞先进武汉基地项目建设周期短、工期紧、任务重，面临深基坑地下室施工、超高独立柱的施工、超高超限梁高支模架体施工、大面积超平楼地面一次成型施工等施工难题。本次封顶的主厂房是整个项目核心。在全体建设者的共同努力下，历经近200个日夜奋战完成厂房主体结构封顶。
据悉，长飞先进武汉基地项目即将进入装饰装修阶段，预计明年7月量产通线，届时可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域，同时促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等财产链上下游通力合作，助力武汉打造国内化合物半导体财产高地，促进国内碳化硅财产繁荣发展，助力形成创新活跃、要素齐备、开放协同的财产生态。
【责任编辑:李琛】
【来源：湖北日报】
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